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低磁场下同位素富集硅中的单自旋量子位

03/12/2019

R Zhao,T Tanttu,KY Tan,B Hensen,KW Chan,JCC Hwang,RCC Leon,CH Yang,W Gilbert,FE Hudson,KM Itoh,AA kisi,TD Ladd, 一个 Morello,一个 Laucht,作为 Dzurak

《自然通讯》,bob游戏下载5500 (2019)

低磁场下同位素富集硅中的单自旋量子位

单电子自旋量子比特采用 1 特斯拉或以上的磁场,通过自旋相关隧道实现量子态读出。这就要求微波工程进行相干自旋共振控制,这限制了大规模多量子比特系统的前景。或者,单线态-三重态读出器能够在低得多的磁场中进行高保真自旋状态测量,而不需要储存器。在这里,我们展示低压操作的金属氧化物硅结合量子点量子相干单旋转控制具有高保真,单拍, 基于泡利自旋封锁的 ST 读出。我们发现在低磁场下量子比特的解码速度更快T2Rabi=18.6">T拉比2=18.6T2Rabi = 18.6 μs 和T2=1.4">T2=1.4T2∗ = 1.4在 mt 时 μ s。它们的相干性受到同位素富集的 28Si 宿主材料中残留的 29Si 原子核的自旋翻转的限制,这在较低的场更频繁地发生。我们的发现表明,需要新的权衡来确保自旋量子位的频率稳定, 并强调了器件衬底同位素富集对于实现可扩展的硅基量子处理器的重要性。

大学:UNSW 悉尼

作者中心参与者:Tuomo Tanttu 博士,Jason Hwang 先生,Ross Leon 先生,Henry Yang 博士,Fay E 博士。 hudson,Andrea Morello 教授,Arne Laucht 博士,Andrew S.教授 dzurak,R. 赵,K。 y。谭,乙。 hensen,K. w。陈,W。吉尔伯特,K. m。伊藤,A. a. 亲吻T.D.Ladd,

来源:自然通信bob游戏下载

出版物类型:参考期刊文章

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