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脉冲激光熔化后注入形成的超掺杂硅是一种有前途的增强近红外光探测材料。为了实现这种材料的全部潜力，了解制造过程中产生的缺陷的性质以及这些缺陷如何影响设备操作是至关重要的。在这里，我们通过深层瞬态光谱学来识别由高剂量离子注入和脉冲激光熔化之间的相互作用引起的衬底耗尽层中存在的一系列缺陷, 并研究了它们高达 650 摄氏度的退火行为。特别地，空缺复合体的探测 E-1 (0.35)密度高达 10 (14) cm (-3) 表明这个水平和价带之间的光学跃迁可能与 Au 施主中心竞争, 因此可能有助于高掺杂光电二极管的光电流。由 AIP Publishing 许可发布。